Data di Pubblicazione:
2006
Abstract:
L’articolo si colloca nel contesto della ricerca sui dispositivi elettronici nelle tecnologie più avanzate oggi disponibili. Si tratta di dispositivi basati su strati di ossido di silicio di pochi nanometri, e con definizione geometrica dell’ordine di 100 nanometri, che trovano applicazione nei più innovativi sistemi di telecomunicazioni e di elaborazione delle informazioni. Si tratta di settori di ricerca fra i più attivi a livello scientifico internazionale. L’articolo presenta nuovi sensore monolitico a pixel attivi fabbricato in tecnologia CMOS 130 nm. Rispetto agli image sensor CMOS tradizionali, in questi nuovi dispositivi tutta l’elettronica analogica e digitale di elaborazione di segnale è integrata nel singolo pixel, sfruttando le potenzialità di una tecnologia CMOS “nanoscale”. La soluzione originale proposta con i nuovi sensori riveste notevole interesse dal punto di vista della fisica e della tecnologia dei dispositivi, e si inserisce in un campo di ricerca scientifica molto importante come l’imaging in applicazioni mediche e scientifiche (scienza dei materiali, esperimenti di fisica delle alte energie).
Tipologia CRIS:
1.2.01 Contributi in volume (Capitoli o Saggi) - Book Chapters/Essays
Elenco autori:
Yan, Qu; Lin, Cheng; Tao, Luan; Zinna, Stefano; Marengo, Marco
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Titolo del libro:
Proceedings of SET2006 - 5th International Conference on Sustainable Energy Technologies